#J5 Lightly Doped Drain (LDD) of Doping process
2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜：LightlyDopedDrain.(LDD)有何作用???•因為GATE愈做愈小,使得source(S)和drain(D)兩端的距離變.得很 ...,...LDD)區，設於源極區或汲極區與通道區之間，其中輕摻雜汲極區位於間隔結構之下，其中摻雜源極區或汲極區的N型摻質...。參考影片的文章的如下：
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半導體ldd
2022年12月17日—半導體製程中之汲極輕滲雜：LightlyDopedDrain.(LDD)有何作用???•因為GATE愈做愈小,使得source(S)和drain(D)兩端的距離變.得很 ...,...LDD)區，設於源極區或汲極區與通道區之間，其中輕摻雜汲極區位於間隔結構之下，其中摻雜源極區或汲極區的N型摻質的平均摻雜濃度顯著地高於輕摻雜汲極區的N型摻質的平均 ...,有兩種製程可以改善特性其一是低摻雜汲極(LDD)主要是防止熱載子效應，穿過閘極氧化層所造成的漏電流...
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有一段時間沒有分享字體了，那就一次來11款英文字體，這11款英文字體內，有滿多我都覺得滿好看的，今天的字體裡面，有風格非常強烈的，有非常神秘，怎麼看都看不懂的，也有正經卻不失設計感的字體，我個人就非常...