為MacBook更換NVMe SSD的事前準備

全称是Multi-Level Cell，使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，MLC达到2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在3000-5000次左右，成本相对较高，但是对于 ...

平均而言，SLC通常可保證50,000到1,000,000次的寫入/抹除次數、MLC可達到3,000次、TLC則約達1,000次。*. NAND 類型, SLC, MLC, 3D TLC, 96層3D TLC. 位元/儲存單元, 1, 2, 3 ...

由於SSD中每個Die有固定的擦寫次數限制，一旦超過就無法再被使用。為了提高耐用度，「耗損平均演算法」確保資料優先寫入使用次數較少的區塊，使所有區塊能被 ...

固態硬碟的擦寫次數是固定的，所以壽命有限，擦寫一次叫做1次P/E，所以固態硬碟的壽命是以P/E為單位的，一般不會用時間作為單位。 在NAND快閃記憶體中，P/ ...

MLC 是擁有價格、性能和耐用性的良好組合。 但MLC 的 P/E 循環次數大約只有10,000 次 ，因此耐用性較SLC 低。

相較於SLC SSD，MCC SSD 的其他缺點包括寫入速度較低、程式/清除週期次數較低，以及耗電量更高。MLC NAND 的讀取速度也可能比SLC 低，因為必須在第二個臨界電壓下讀取相同的 ...

MLC NAND Flash​​ 雖然MLC NAND的存儲密度更高，但耐久性降低，通常可承受約3,000至10,000次P/E Cycle (Program Erase Cycle) 。 然而，控制器技術和錯誤校正機制的進步大大提 ...

... MLC（多級單元），TLC ... 以30nm的TLC為例，每個單元的壽命約可寫入1000次，而到20nm TLC時，壽命僅剩300次，再到15nm TLC，寫入次數更剩下200次而已。

... MLC為5,000 ~ 10,000次、TLC為1,000次 ... 寫入放大比WAF(Write Amplification Factor) 是表示實際寫入SSD的資料量與主機要求一次資料寫入量的比值。

單級單元快閃記憶體俗稱SLC，這種類型的快閃記憶體在讀寫資料時具有最為精確，並且還具有持續最長的資料讀寫壽命的優點。 SLC擦寫壽命約在9萬到10萬次之間。