銅混合鍵合的發展與應用（一）：技術輪廓

因此利用金屬/介電層混合結構，同時完成兩種不同材料的接合的混合接合技術，是次世代的接合技術的主要發展方向。本實驗室基於鈍化層技術，結合金屬/介電層混合結構 ...

接合對準的精密準確度將縮小達到500nm 內，如此才能精準地完成混合式晶圓接合(Hybrid. Wafer Bonding)甚至是線寬間距更小的接合面積。EVG Gemini ® FB 搭載最新精準對位 ...

2023年5月3日 — 銅－銅混合鍵合技術是將2片欲鍵合在一起的晶圓，各自完成製程最後一步的金屬連線層，此層上只有2種材質：銅及介電質。介電質可以是氧化矽或高分子材料，二者各 ...

2024年5月8日 — 什麼是混合鍵合？ ... 混合鍵合又稱為直接鍵合互連(Direct Bond Interconnect，DBI)，如果將晶片視為小積木，混合鍵合就像神奇膠水，讓兩顆小積木直接黏在一起。

2022年7月20日 — 因此有學者提出利用銅-銅異質接合(Cu-Cu Hybrid Bonding) 技術，將金屬接點鑲嵌在介電材料(Dielectric Material) 之間，並同時利用熱處理接合兩種材料，利用 ...

2024年4月15日 — 混合接合是一項先進異質整合封裝的明星接合技術，其中晶片對晶圓(Chip-to-Wafer; C2W)封裝方式備受矚目，但目前此方式絕緣材料所使用的二氧化矽(SiO2)等無機 ...

2022年7月29日 — 因此有學者提出利用銅─銅混合鍵合（Cu-Cu Hybrid Bonding）技術，將金屬接點鑲嵌在介電材料（Dielectric Material）之間，並同時利用熱處理接合兩種材料，利用銅 ...

Hybrid Bonding是將晶片連接的技術，相較於封裝主流技術的Bump(凸塊)接合，Hybrid Bonding是透過金屬（如銅）和氧化物鍵合，最大優勢就是降低凸塊的間距並縮小接點間距，由此可以在相同的面積下提升連接密度，也就達到更快的傳輸速度並且降低能耗。

2022年7月29日 — 由於接合機制在初期階段是由表面擴散主導、而後期則轉變成晶界擴散主導，此將使得有效擴散係數的數值大小界於表面擴散係數與晶界擴散係數之間。此外，當接合 ...

2024年8月1日 — 要順利完成SoIC 封裝，就要靠Hybrid bonding（混合鍵合，又稱直接鍵合互 ... 接合間距更小，據悉，與傳統接合技術相比， 理想狀態下，Hybrid ...