金氧半場效電晶體_E
MOS管工作在饱和区（恒流区）与BJT的饱和区不同，称MOS管此区为饱和区，主要表示Vds增加Id却几乎不再增加——也即电流饱和。其实在此饱和区内，MOS管 ...,MOSFET，其vDS.增加到VOV.的狀態。在汲極.端，vGD.降到Vt.，汲極端的通道深度降為零.(夾止)。此時，MOSFET進入...。參考影片的文章的如下：
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mosfet飽和區
MOS管工作在饱和区（恒流区）与BJT的饱和区不同，称MOS管此区为饱和区，主要表示Vds增加Id却几乎不再增加——也即电流饱和。其实在此饱和区内，MOS管 ...,MOSFET，其vDS.增加到VOV.的狀態。在汲極.端，vGD.降到Vt.，汲極端的通道深度降為零.(夾止)。此時，MOSFET進入飽和區操作。更.進一步增加vDS(超過VDSsat ...,首先我们要先引进一个概念就是MOSFET的截止电压，当MOSFET的Vgs达到一定的的程度，也就是达到MOSFET器件的截至电压...
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