高市疫情趨緩公布校園暑期活動原則持續防疫相關作為2022年6月27 ...

因此，取而代之的方法為淺溝渠隔離(shallow trench isolation，STI)結構製程。 傳統的淺溝渠隔離結構是利用非等向性蝕刻的方法先在半導體基底中形成溝渠，再於此溝渠中填入 ...

浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。

第一種方法是改良淺溝槽隔離高密度電漿氧化層沉積程式，減緩預熱. 時間與主沉積時間的溫度差，降低其預熱到主沉積前之間的熱膨脹係數的. 差異，第二種方法是在淺溝槽隔離內墊 ...

淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI)是一種常用於半導體製程中的隔離技術，可以防止相鄰半導體元件之間的漏電流(leakage current)產生，還具有增加元件積集度(package ...

本論文就針對上述應力問題提出一種解決的方法，我們在淺溝渠中填入複晶矽（Poly-Silicon）作為一個吸收應力的緩衝層（Buffer Layer），藉由此緩衝層，減少應力所造成晶格位置的錯 ...

淺溝渠元件隔離技術現況與. 挑戰. 摘要. 淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation, STI)為先進IC奈米晶片製程中的關鍵技. 術。以化學機械研磨技術進行溝渠隔離氧化矽之回 ...

淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation, STI)為先進IC奈米晶片製程中的關鍵技術。以化學機械研磨技術進行溝渠隔離氧化矽之回蝕面臨相當嚴苛的製程 ...

但在淺溝渠隔離製程中，溝渠的尖角因為有較高的電場，產生較大的漏電流，容易造成氧化層崩潰。成長內裡氧化層(Lining oxide)可以使溝渠尖角更圓滑，減少漏電流，此外吾人發現若 ...

淺溝槽隔離行為特性決定於氧化層化學汽相沉積及化學機械平坦技術。隨著積體電路元件尺寸縮小，伴隨而至在製造過程發生的微缺陷問題, 如: 氮化矽層無法有效停止化學機械研磨， ...

該些主動區上的氧化層以及介於該些主動區之間的淺溝渠隔離結構、以及進行一濕蝕刻製程移除該. 氧化層,其中該濕蝕刻製程為將該基底浸泡在完全靜止不流動的蝕刻液中。