FD SOI的mVt基本功之一HKMG與鋁的故事IBM vs ...
...極（High-kMetalGate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。,2018年8月8日—而本專題討論highk/metalgate金氧半場效電晶體熱載子可靠度的研究，.分析在不同Ti濃度...。參考影片的文章的如下：
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hkmetalgate
...極（High-kMetalGate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。,2018年8月8日—而本專題討論highk/metalgate金氧半場效電晶體熱載子可靠度的研究，.分析在不同Ti濃度及不同厚度下，hotcarrierstress後，其Id、S.S、GIDL、.VT ...,Intelmadeasignificantbreakthroughinthe45nmprocessbyusingahigh-k(Hi-k)materialcalledhafniumto...
【布拉格】The Iron Gate Hotel & Suites 鐵門飯店。捷克蜜月之行終於來到了布拉格（Praha）
終於！終於！我要開始捷克蜜月的遊記啦～前陣子還真是忙翻了，該來把捷克遊記認真完成我們在布拉格就待了三天，照片真的是又多又亂，還真是不知道該如何分類我們去的時候還是夏天，現在過去已經是酷寒的冬天了，...