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▫ LOCOS 和PBL 運作地很好當圖形尺寸> 0.5 μm 時. ▫ 當圖形尺寸< 0.35 μm為不能容忍的. ▫ 矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程和CVD氧化物溝槽之 ...

於矽基板上以熱氧化(thermal process)方式長一層墊氧化層，用來避免SiN沉積與去除時受到污染，且因nitride對Si應力大，如直接沉積會造成矽晶圓破裂)。墊氧化 ...

傳統常用之LOCOS隔離法由於鳥嘴(bird's beak)效應與表面不帄. 坦之限制，在250 nm以下之電路製作都以被淺溝槽隔離製程所取代。淺. 溝槽隔離製程雖能提高元件之積成度，但 ...

第一種方法是改良淺溝槽隔離高密度電漿氧化層沉積程式，減緩預熱. 時間與主沉積時間的溫度差，降低其預熱到主沉積前之間的熱膨脹係數的. 差異，第二種方法是在淺溝槽隔離內墊 ...

【先前技術】. 在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localized oxidation isolation, LOCOS)或是淺溝隔離(shallow trench isolation, STI)方法來. 進行元件之間的隔離, ...

該基板亦可包括場氧化區域之下部，其通常藉由矽局部氧化(LOCOS)製程而形成。該場 ... 如同在LOCOS製程中一樣正常的係，藉由在開口304之邊緣處膨脹氧化物來抬高氮 ...

氧化(LOCOS)製程。其步驟為分別成長一層. 35nm 的墊氧化層( Pad Oxide)與150nm的氮化. 矽層(SiN」),然後進行微影製程以定義出主動. 區。經過乾蝕刻以及作為通道阻絕 ...

相較於傳統LOCOS製程，STI製. 程較為繁複及不易控制，如圖一所. 示。其中包括墊氧化層成長及氮化矽. 硬質罩(Hard Mask)沉積、介電層及矽. 基材隔離 ...

1.介電材料，應用為氧化層的蝕刻Mask。 2.不易被氧滲透可做為Field Oxide 製作時，防止晶片表面Active Area. 遭受氧化的Masking Layer。即著名的LOCOS 製程(Local Oxidation ...

適合用於MOSFETs 的閘極製程。 Page 4. Nitride 1,500Å. • Description：. Nitride 1,500Å是以水平爐管LPCVD的方式沈積，可以有效. 的阻擋氧氣以及水蒸氣滲透，適用於LOCOS ...