納米武林基本功屋漏偏逢夜漏電np well, STI, PTS, SSD, BDI

Shallow trench isolation (STI), also known as box isolation technique, is an integrated circuit feature which prevents electric current leakage

1. STI. Sideshare English version; Shallow Trench Isolation; 其shallow是相對LOCOS來說; 為元件(nFET/pFET)之間絕緣結構; 步驟. (1) 前置處理：由下到 ...

... 隔離(Shallow Trench Isolation 或. STI)製程取代傳統LOCOS 方式，以滿足高積成密度的要求。 1.2 研究動機與目的. 圖1-1 為CMOS製程結構，製程線寬愈做愈小其元件的隔離區也.

Shallow Trench Isolation (STI) techniques are essential for semiconductor device for reducing electrical interferences between devices of sub-micro and sub 100- ...

STI = Shallow Trench Isolation 顧名思義就是在CMOS上挖一條溝渠來做隔離，那是隔離什麼呢? 因為在CMOS上會有P+與N+結合起來的depletion region(空.

isolation, LOCOS)或是淺溝隔離(shallow trench isolation, STI)方法來. 進行元件之間的隔離,以避免元件間相互干擾而產生短路現象。然. 而隨著半導體晶片的設計與製造線 ...

淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI)是一種常用於半導體製程中的隔離技術，可以防止相鄰半導體元件之間的漏電流(leakage current)產生，還具有增加元件積集度(package ...

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

淺溝渠隔離技術(Shallow Trench Isolation, STI)為先進IC奈米晶片製程中的關鍵技術。以化學機械研磨技術進行溝渠隔離氧化矽之回蝕面臨相當嚴苛的製程 ...

使其成為0.25微米線幅世代以後IC製程. 中之主流關鍵技術之一。其優點包含. 可減少佔用矽晶圓表面的面積，並增. 加元件的積集度(Packing Density)，同.