Exploring the Differences Between TLC and SLC

TLC：Trinary-Level Cell（三層存儲單元）,每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化，容量比MLC更大，但控制更複雜，速度也更慢。

MLC成本相對較SLC低，在效能與壽命方面較TLC佳，抹寫次數約三千次，足夠應付日常電腦作業與電玩應用。TLC是三者之中價格成本最便宜的，抹寫次數約一千五百次，僅適合消費型應用 ...

然而，MLC相較SLC多儲存一位元於每個單元，使得MLC具有較高的功耗及較低的續航力。 TLC(Triple Level Cell)儲存三位元資料於每個記憶單元，使其在同容量的 ...

由于存储的数据密度相对MLC和SLC更大，所以价格也就更便宜，但使用寿命和性能也就更低，不过这并不能阻止人们购买TLC颗粒的固态硬盘。甚至目前市场上绝大多数的入门级产品使用 ...

快閃記憶體是以電壓狀態來表徵儲存單元的位元狀態，TLC、MLC與SLC每個儲存單元雖然只記錄3個、2個與1個位元，但分別也只須控制8種、4種與2種電壓狀態，相較下 ...

優點：價格較SLC 便宜- 缺點：速度較SLC 慢，且耐用性較SLC 低. 在多階儲存單元(MLC) NAND 中，每個儲存單元內可儲存2 個以上的資訊位元，不過通常是儲存2 個資訊位元。MLC 的 ...

... SLC到MLC好歹是加了一倍的容量(1>2)但到了TLC，也不過就是多一半的容量(2>3)甚至到了QLC更只增加了1/3(3...(SSD ... SSD從SLC後，陸續有了MLC與TLC甚至QLC 隨 ...

SLC : 寫入壽命約十萬次。指同一位址連續寫入十萬次，就會發生故障。 MLC：寫入壽命少SLC 一半，約5萬次。 TLC：寫入壽命少MLC 一半，約2.5～3 萬次。...(恕刪).

NAND Flash記憶體是現代儲存裝置中的重要組成部分。本文對不同類型的NAND Flash，包括SLC、MLC、TLC和QLC進行了全面的概述。通過了解它們的特性，讀者可以在選擇儲存解決 ...

由於SSD電路板規格具有行業標準尺寸，因此同樣的單元物理空間下，多級單元（MLC）能使容量翻倍，三級單元（TLC）更能使容量變為三倍，基於這種發展，為SSD趨向大 ...