芯片隔离技术（LOCOS 与STI）

淺溝槽絕緣(STI). ▫ LOCOS 和PBL 運作地很好當圖形尺寸> 0.5 μm 時. ▫ 當圖形尺寸< 0.35 μm為不能容忍的. ▫ 矽蝕刻及淺溝槽的氧化被研究來減少氧化物. 侵入. ▫ STI製程 ...

2) STI: 因为STI edge有divot，而在divot边缘的Si上长的GOX会比channel区域的GOX薄(GOX thinning effect)，所以与LOCOS正好相反，所以沟道宽度越窄，反而Vt越小。 所以叫做反窄 ...

如上图，STI（Shallow Trench Isolation）浅沟槽隔离，先在硅片上刻蚀浅沟槽，然后填充氧化硅，形成电气隔离层。主要作用是将CMOS的nMOSFET和pMOSFET隔离开，防止 ...

LOCOS主要绝缘材料是生长SiO₂；STI主要绝缘材料是淀积SiO₂，所以LOCOS容易产生鸟嘴效应。 8. 点赞. 刚表态 ...

STI)製程取代傳統LOCOS 方式，以滿足高積成密度的要求。 1.2 研究動機與目的. 圖1-1 為CMOS製程結構，製程線寬愈做愈小其元件的隔離區也. 會相對變小，淺溝槽隔離雖然能 ...

早期製程都是用LOCOS當作解決depletion region過大的方法，但近代主流製程皆採用STI，原因在於LOCOS會有bird's break的問題，會入侵到P+ or N+更甚者會造成 ...

【先前技術】. 在目前半導體製程中,一般採用區域氧化法(localized oxidation isolation, LOCOS)或是淺溝隔離(shallow trench isolation, STI)方法來. 進行元件之間的隔離 ...

和LOCOS隔离技术相比，STI隔离技术具有如下优点： 更有效的器件隔离的需要，尤其是对于DRAM器件而言；对晶体管隔离而言，表面积显著减小；超强的闩锁保护能力；对沟道没有侵蚀；与 ...

STI 技术在芯片制造中逐渐取代了LOCOS（局部氧化硅）隔离技术，因为它在高密度集成电路中表现出更好的性能，并能够有效解决LOCOS 中的鸟嘴效应等问题。

本文將探討STI製. 程中CMP相關的問題。 STI製程中化學機械研磨. 技術挑戰. 相較於傳統LOCOS製程，STI製. 程較為繁複及不易控制，如圖一所. 示。其中包括墊氧化層成長及氮化 ...