淺溝槽隔離

浅槽隔离，即shallow trench isolation，简称STI。通常用于0.25um以下工艺，通过利用氮化硅掩膜经过淀积、图形化、刻蚀硅后形成槽，并在槽中填充淀积氧化物，用于与硅隔离。

如上图，STI（Shallow Trench Isolation）浅沟槽隔离，先在硅片上刻蚀浅沟槽，然后填充氧化硅，形成电气隔离层。主要作用是将CMOS的nMOSFET和pMOSFET隔离开，防止 ...

第一種方法是改良淺溝槽隔離高密度電漿氧化層沉積程式，減緩預熱. 時間與主沉積時間的溫度差，降低其預熱到主沉積前之間的熱膨脹係數的. 差異，第二種方法是在淺溝槽隔離內墊 ...

淺溝槽隔離研磨之難題為如何在溝渠中避免氧化物的過度薄化或. 碟形引起這種情形的原因在研磨墊過度彎曲變形以致歪斜底部壓力進. 入了寬溝渠，當氮化矽罩幕層在化學機械研磨 ...

本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體（MOSFET）淺溝槽隔離絕緣層（Shallow Trench Isolation，STI）與鄰近電晶體主動區的高度差（Step-height）對元件特性的影響。

淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolation, STI)是一種常用於半導體製程中的隔離技術，可以防止相鄰半導體元件之間的漏電流(leakage current)產生，還具有增加元件積集度(package ...

淺溝槽隔離行為特性決定於氧化層化學汽相沉積及化學機械平坦技術。隨著積體電路元件尺寸縮小，伴隨而至在製造過程發生的微缺陷問題, 如: 氮化矽層無法有效停止化學機械研磨， ...

下面详细介绍一下浅槽隔离的步骤，主要包括：槽刻蚀、氧化物填充和氧化物平坦化。 槽刻蚀. 隔离氧化层。硅表面生长一层厚度约150埃氧化层；可以做为隔离层 ...

摘要:研究了浅沟槽隔离(TI)工艺的各主要工艺步骤:沟槽的形成、沟槽顶角的圆滑、沟槽填充以及化学机械抛光. 平坦化. 使用器件模拟软件Medici 和Davinci 分析了STI结构的 ...

其中包括墊氧化層成長及氮化矽. 硬質罩(Hard Mask)沉積、介電層及矽. 基材隔離溝渠蝕刻、矽表面氧化、. CVD沉積填隙毯覆二氧化矽介電層及. 其高溫緻密化(Densified Anneal) ...