Design of Concrete Structure

... ILD）包括. PMD 和IMD. • 金屬沉積前的介電質層（Pre-metal dielectric ... 的氧化物製程被廣泛地使用在半導體工. 業上，特別是在STI 和PMD 的應用上. • 傳送帶 ...

ARC: 反射層鍍膜; IMD: 金屬層間介電質層; PMD: 金屬沈積前的介電質層;. STI: 淺溝槽絕緣; LDD: 低摻雜汲極; ILD:金屬層間介電質層 ...

1. ILD. 以CVD方式沉積磷矽玻璃PSG(用來捕捉Na、K等鹼金族離子)後再CMP平坦化形成ILD(Interlayer Delietric介電層)。 2. Contact. 步驟. (1) 做Contact的 ...

ILD層250之具體材料包含二氧化. 矽、氮氧化矽或碳氧化矽。圖2G之結構接著通過平坦化操. 作,例如:CMP與閘極接觸形成。 【0031】 ILD層250係被圖案化,以移除部份之ILD層. 250 ...

一些實施例係關於一種半導體結構，其包含：位於基板上的第一層間介電質(ILD)層。下導電導孔設置於第一ILD層內。複數個導電線路位於第一ILD層上。第二ILD層側向設置於導電 ...

在基板000頂部之膜層001為第一內層介電(inter-layer dielectric，ILD)層，其介於一第一金屬層與基板000之間。在內層介電層001頂部為第一金屬層100，複數金屬接點設置於 ...

這. 類薄膜材料可以在晶片內部構成三種主要的介質薄膜：內層介電. 層（ILD）、內金屬介電層（IMD）、以及保護層。此外、金層化. 學氣相沉積（包括鎢、鋁、氮化鈦、以及 ...

故在多層導線結構製程之IMD與ILD介電層平坦化及鎢金屬栓塞(W plugs)之製作，以CMP取代傳統以乾式蝕刻回蝕法，不但可確保晶圓表面之平整度且製程簡化，大幅提昇製程良率。除了 ...

化學機械平坦化（英語：Chemical-Mechanical Planarization, CMP），又稱化學機械研磨（Chemical-Mechanical Polishing），是半導體 ... ILD），其基本機理是Cook理論。磨料 ...